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为了减小或这种损耗，率场 效应管宜采用零电压通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（Insu1ated Gate Bipo1ar tansistor，IGBT）是一种复合关器件，关断时的电流拖 尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。

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是现今信息社会的基石。根据半导体设备材料产业协会(SEMI)的报告，全球大直径硅单晶的需求依然旺盛，450mm硅单晶要继续发研究。当前主流集成电路设备用部件急需400mm硅单晶并提出低成本的要求，发400mm硅单晶和研究晶体的工艺过程，无疑具有重要的理论意义和现实需求。同时，发下一代450mm集成电路用硅晶体，研究外加磁场对改善晶体质量的作用。广泛应用于集成电路备件和硅片领域大直径硅单晶的与数值分析\大直径硅单晶是微电子工业的基础材料对于我国未来450mm硅片具有重要的战略意义。本文从晶体生长物理基础和流体力学的基本理论出发采用28inch和32inch热场出400mm和45。3，监视能：电是眼睛看不见的，一台设备是否带电或断电，从外表看无法分辨，这需要设置各种视听信号，如灯光和音响等，对一次设备进行电气监视，4，测量能：灯光和音响信号只能定性地表明设备的工作状态（有电或断电），如果想定量地知道电气设备的工作情况，还需要有各种仪表测量设备，测量线路的各种参数，如电压，电流，频率和率的大小等。